BSO301SPHXUMA1 Infineon Technologies
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 45.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSO301SPHXUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSO301SPHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.6 A, 0.0063 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.79W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції BSO301SPHXUMA1 за ціною від 48.01 грн до 170.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSO301SPHXUMA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - BSO301SPHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.6 A, 0.0063 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.79W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2359 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSO301SPHXUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSO301SPHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.6 A, 0.0063 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.79W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2359 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BSO301SPHXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO |
на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BSO301SPHXUMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12.6A; 1.79W; PG-DSO-8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: OptiMOS™ P Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -12.6A Power dissipation: 1.79W Case: PG-DSO-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
BSO301SPHXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
BSO301SPHXUMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12.6A; 1.79W; PG-DSO-8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: OptiMOS™ P Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -12.6A Power dissipation: 1.79W Case: PG-DSO-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |