Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSP149H6327XTSA1
BSP149H6327XTSA1

BSP149H6327XTSA1 Infineon Technologies

bsp149_rev2.1.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+20.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP149H6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA, Supplier Device Package: PG-SOT223-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V.

Інші пропозиції BSP149H6327XTSA1 за ціною від 28.14 грн до 111.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp149_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+34.42 грн
2000+ 32.76 грн
5000+ 31.44 грн
10000+ 28.14 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP149-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fcbb815397c Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+36.42 грн
2000+ 33.01 грн
5000+ 31.44 грн
10000+ 28.14 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp149_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+37.16 грн
2000+ 35.37 грн
5000+ 33.95 грн
10000+ 30.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp149_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+39.27 грн
2000+ 37.01 грн
5000+ 35.28 грн
10000+ 31.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp149_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+42.3 грн
2000+ 39.85 грн
5000+ 37.99 грн
10000+ 33.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19448-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP149H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 660 mA, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 660mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 2231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+62.39 грн
200+ 53.55 грн
500+ 45.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp149_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
162+72.55 грн
171+ 68.45 грн
197+ 59.48 грн
207+ 54.72 грн
500+ 50.5 грн
1000+ 44.55 грн
Мінімальне замовлення: 162
BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSP149H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2.6A
Case: SOT223
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.53A
On-state resistance: 3.5Ω
на замовлення 1073 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+75.64 грн
9+ 41.73 грн
23+ 36.16 грн
62+ 34.08 грн
1000+ 33.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP149-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fcbb815397c Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
на замовлення 27485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+83.05 грн
10+ 65.3 грн
100+ 50.79 грн
500+ 40.4 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSP149H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2.6A
Case: SOT223
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.53A
On-state resistance: 3.5Ω
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1073 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+90.77 грн
5+ 52 грн
23+ 43.39 грн
62+ 40.89 грн
1000+ 40.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSP149_DS_v02_01_en-1226393.pdf MOSFET N-Ch 200V 660mA SOT-223-3
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+92.69 грн
10+ 74.24 грн
100+ 49.14 грн
500+ 41.66 грн
1000+ 30.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19448-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP149H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 660 mA, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 660mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 2231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+111.59 грн
10+ 84.63 грн
50+ 62.39 грн
200+ 53.55 грн
500+ 45.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSP149H6327XTSA1 Виробник : Infineon Infineon-BSP149-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fcbb815397c N-MOSFET 660mA 200V 1.8W 1.8 Ohm BSP149H6327XTSA1 BSP149 TBSP149
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+47.66 грн
Мінімальне замовлення: 20
BSP149H6327XTSA1 Виробник : Infineon Infineon-BSP149-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fcbb815397c N-MOSFET 660mA 200V 1.8W 1.8 Ohm BSP149H6327XTSA1 BSP149 TBSP149
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+53.49 грн
Мінімальне замовлення: 10