BSV52LT1G ON Semiconductor
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 2.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSV52LT1G ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 12V 0.1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V, Frequency - Transition: 400MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V, Power - Max: 225 mW.
Інші пропозиції BSV52LT1G за ціною від 2.8 грн до 27.49 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSV52LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSV52LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSV52LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSV52LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSV52LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 12V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSV52LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSV52LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 12V; 0.1A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Current gain: 25...120 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 400MHz |
на замовлення 5795 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSV52LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 12V; 0.1A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Current gain: 25...120 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 400MHz |
на замовлення 5795 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSV52LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 12V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 10881 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSV52LT1G | Виробник : onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 12V Switching NPN |
на замовлення 31995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSV52LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |