Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BTS244ZE3062AATMA2

BTS244ZE3062AATMA2 Infineon Technologies

Name: BTS244ZE3062AATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 12870218-3
Price: 187.87 UAH
Availability: InStock

INFNS27930-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 35A TO263-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 19A, 10V
FET Feature: Temperature Sensing Diode
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO263-5-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 25 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
1000+	187.87 грн

Мінімальне замовлення: 1000

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис BTS244ZE3062AATMA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 35A TO263-5, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 19A, 10V, FET Feature: Temperature Sensing Diode, Power Dissipation (Max): 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA, Supplier Device Package: PG-TO263-5-2, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 25 V.

Інші пропозиції BTS244ZE3062AATMA2 за ціною від 166.92 грн до 363.38 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

BTS244ZE3062AATMA2

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - BTS244ZE3062AATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 35 A, 0.0115 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Speed TEMPFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 924 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
100+	196.01 грн
500+	166.92 грн

Мінімальне замовлення: 100

BTS244ZE3062AATMA2

Виробник : INFINEON

на замовлення 924 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3+	324.81 грн
10+	284.68 грн
25+	235.62 грн
100+	196.01 грн
500+	166.92 грн

Мінімальне замовлення: 3

BTS244ZE3062AATMA2

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 35A TO263-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 19A, 10V
FET Feature: Temperature Sensing Diode
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO263-5-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 25 V

на замовлення 1681 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)