BUB323ZT4G ON Semiconductor
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 90.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUB323ZT4G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BUB323ZT4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 3 Pin(s), tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 500, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 500, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 10, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 2, Betriebstemperatur, max.: 175, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції BUB323ZT4G за ціною від 98.42 грн до 210.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUB323ZT4G | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 250mA, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 5A, 4.6V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: D2PAK Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 150 W |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BUB323ZT4G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 250mA, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 5A, 4.6V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: D2PAK Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 150 W |
на замовлення 929 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BUB323ZT4G | Виробник : onsemi |
Darlington Transistors 10A 350V Bipolar Power NPN |
на замовлення 8588 шт: термін постачання 437-446 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BUB323ZT4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BUB323ZT4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 3 Pin(s) tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 500 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 500 Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 2 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
BUB323ZT4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BUB323ZT4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 3 Pin(s) tariffCode: 85412100 rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 500 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 10 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| BUB323ZT4G | Виробник : ONSEMI |
BUB323ZT4G NPN SMD Darlington transistors |
товар відсутній |