BUJ302AD,118 WeEn Semiconductors
Виробник: WeEn SemiconductorsDescription: TRANS NPN 400V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 250mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 800mA, 3V
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 21.06 грн |
| 5000+ | 19.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUJ302AD,118 WeEn Semiconductors
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BUJ302AD,118 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 80 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, DC-Stromverstärkung hFE: 66, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 80, Übergangsfrequenz ft: -, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 400, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 4, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції BUJ302AD,118 за ціною від 17.05 грн до 59.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUJ302AD,118 | Виробник : WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited |
Trans GP BJT NPN 400V 4A 80000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 140000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUJ302AD,118 | Виробник : WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited |
Trans GP BJT NPN 400V 4A 80000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 140000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUJ302AD,118 | Виробник : WeEn Semiconductors |
Bipolar Transistors - BJT NPN 400 V 4 A |
на замовлення 6488 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUJ302AD,118 | Виробник : WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited |
Trans GP BJT NPN 400V 4A 80000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUJ302AD,118 | Виробник : WeEn Semiconductors |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 80W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 400V Collector current: 4A Power dissipation: 80W Case: DPAK Current gain: 25...50 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
на замовлення 2032 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUJ302AD,118 | Виробник : WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited |
Trans GP BJT NPN 400V 4A 80000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUJ302AD,118 | Виробник : WeEn Semiconductors |
Description: TRANS NPN 400V 4A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 3.5A Current - Collector Cutoff (Max): 250mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 800mA, 3V Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 80 W |
на замовлення 11326 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUJ302AD,118 | Виробник : WeEn Semiconductors |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 80W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 400V Collector current: 4A Power dissipation: 80W Case: DPAK Current gain: 25...50 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2032 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUJ302AD,118 | Виробник : WEEN SEMICONDUCTORS |
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BUJ302AD,118 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 80 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 66 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 80 Übergangsfrequenz ft: - Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 400 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 4 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
товар відсутній |