BUK6D22-30EX

BUK6D22-30EX Nexperia USA Inc.


BUK6D22-30E.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 7.2A/22A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.2 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK6D22-30EX Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 30V 7.2A/22A 6DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 19W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN2020MD-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BUK6D22-30EX за ціною від 7.28 грн до 28.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BUK6D22-30EX BUK6D22-30EX Виробник : Nexperia USA Inc. BUK6D22-30E.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 7.2A/22A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+27.44 грн
13+ 22.46 грн
100+ 15.61 грн
500+ 11.44 грн
1000+ 9.3 грн
Мінімальне замовлення: 11
BUK6D22-30EX BUK6D22-30EX Виробник : Nexperia BUK6D22_30E-1588536.pdf MOSFET BUK6D22-30E/SOT1220/SOT1220
на замовлення 14712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.97 грн
14+ 23.03 грн
100+ 14.75 грн
500+ 11.55 грн
1000+ 9.35 грн
3000+ 7.54 грн
9000+ 7.28 грн
Мінімальне замовлення: 11
BUK6D22-30EX Виробник : NEXPERIA buk6d22-30e.pdf 30 V, N-channel Trench MOSFET
товар відсутній
BUK6D22-30EX BUK6D22-30EX Виробник : Nexperia buk6d22-30e.pdf 30 V, N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
товар відсутній
BUK6D22-30EX BUK6D22-30EX Виробник : Nexperia buk6d22-30e.pdf 30 V, N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
товар відсутній
BUK6D22-30EX Виробник : NEXPERIA BUK6D22-30E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 15.7A; Idm: 89A; 19W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 15.7A
Pulsed drain current: 89A
Power dissipation: 19W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BUK6D22-30EX Виробник : NEXPERIA BUK6D22-30E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 15.7A; Idm: 89A; 19W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 15.7A
Pulsed drain current: 89A
Power dissipation: 19W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній