BUK6D30-40EX

BUK6D30-40EX Nexperia USA Inc.


BUK6D30-40E.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 6A/18A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK6D30-40EX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BUK6D30-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 0.023 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 19W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 19W, Bauform - Transistor: DFN2020MD, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції BUK6D30-40EX за ціною від 7.68 грн до 34.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BUK6D30-40EX BUK6D30-40EX Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0009854143-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK6D30-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 0.023 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 19W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+19.25 грн
500+ 14.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
BUK6D30-40EX BUK6D30-40EX Виробник : Nexperia USA Inc. BUK6D30-40E.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 6A/18A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.16 грн
12+ 23.23 грн
100+ 16.16 грн
500+ 11.84 грн
1000+ 9.62 грн
Мінімальне замовлення: 11
BUK6D30-40EX BUK6D30-40EX Виробник : Nexperia BUK6D30-40E-1839903.pdf MOSFET BUK6D30-40E/SOT1220/SOT1220
на замовлення 4537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+30.45 грн
13+ 25.49 грн
100+ 15.49 грн
500+ 12.02 грн
1000+ 9.81 грн
3000+ 8.14 грн
9000+ 7.68 грн
Мінімальне замовлення: 11
BUK6D30-40EX BUK6D30-40EX Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0009854143-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK6D30-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 0.023 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 19W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+34.23 грн
26+ 28.98 грн
100+ 19.25 грн
500+ 14.12 грн
Мінімальне замовлення: 22
BUK6D30-40EX BUK6D30-40EX Виробник : Nexperia buk6d30-40e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
товар відсутній
BUK6D30-40EX BUK6D30-40EX Виробник : Nexperia buk6d30-40e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
товар відсутній
BUK6D30-40EX Виробник : NEXPERIA buk6d30-40e.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 18A Automotive 6-Pin DFN-MD EP T/R
товар відсутній
BUK6D30-40EX Виробник : NEXPERIA BUK6D30-40E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12.8A; Idm: 73A; 19W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 12.8A
Pulsed drain current: 73A
Power dissipation: 19W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BUK6D30-40EX Виробник : NEXPERIA BUK6D30-40E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12.8A; Idm: 73A; 19W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 12.8A
Pulsed drain current: 73A
Power dissipation: 19W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній