Продукція > STMICROELECTRONICS > BUL216
BUL216

BUL216 STMicroelectronics

11723cd00000009.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 800V 4A 9000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.36 грн
Мінімальне замовлення: 11
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUL216 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - BUL216 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 4 A, 90 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

Інші пропозиції BUL216 за ціною від 32.83 грн до 207.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BUL216 BUL216 Виробник : STMicroelectronics 11723cd00000009.pdf Trans GP BJT NPN 800V 4A 9000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+32.83 грн
Мінімальне замовлення: 18
BUL216 BUL216 Виробник : STMicroelectronics bul216.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 4A; 90W; TO220
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 800V
Collector current: 4A
Power dissipation: 90W
Case: TO220
Current gain: 40
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 1281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+67.98 грн
7+ 57.58 грн
10+ 52.03 грн
20+ 40.93 грн
53+ 38.85 грн
250+ 37.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
BUL216 BUL216 Виробник : STMicroelectronics bul216.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 4A; 90W; TO220
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 800V
Collector current: 4A
Power dissipation: 90W
Case: TO220
Current gain: 40
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1281 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+71.75 грн
10+ 62.43 грн
20+ 49.11 грн
53+ 46.62 грн
250+ 44.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
BUL216 BUL216 Виробник : STMicroelectronics 11723cd00000009.pdf Trans GP BJT NPN 800V 4A 9000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
157+74.71 грн
184+ 63.6 грн
215+ 54.47 грн
227+ 49.75 грн
500+ 43.14 грн
1000+ 38.86 грн
2000+ 36.65 грн
4000+ 34.18 грн
Мінімальне замовлення: 157
BUL216 BUL216 Виробник : STMicroelectronics bul216-1849051.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw
на замовлення 3363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+145.28 грн
10+ 117.94 грн
100+ 87.24 грн
250+ 82.58 грн
500+ 71.26 грн
2000+ 64.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
BUL216 BUL216 Виробник : STMICROELECTRONICS SGSTS36724-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - BUL216 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 4 A, 90 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 28998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+207.68 грн
10+ 164.35 грн
100+ 132.23 грн
500+ 101.28 грн
1000+ 72.36 грн
5000+ 71.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
BUL216 BUL216 Виробник : STMicroelectronics 11723cd00000009.pdf Trans GP BJT NPN 800V 4A 9000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BUL216 BUL216
Код товару: 82997 		Виробник : ST 1021_datasheet_bul216.pdf Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
Uceo,V: 800 V
Ucbo,V: 1600 V
Ic,A: 4 A
h21: 40
товар відсутній
BUL216 BUL216 Виробник : STMicroelectronics 11723cd00000009.pdf Trans GP BJT NPN 800V 4A 9000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
BUL216 Виробник : STMicroelectronics 11723cd00000009.pdf Trans GP BJT NPN 800V 4A 9000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
BUL216 BUL216 Виробник : STMicroelectronics en.CD00000009.pdf Description: TRANS NPN 800V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 660mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 250µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 12 @ 400mA, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V
Power - Max: 90 W
товар відсутній
BUL216 Виробник : onsemi / Fairchild en.CD00000009.pdf Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній