Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BUZ30AH3045AATMA1
BUZ30AH3045AATMA1

BUZ30AH3045AATMA1 Infineon Technologies

Buz30a+H3045A+Rev+2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a304325305e6d012596cd45e4290f Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
403+48.82 грн
Мінімальне замовлення: 403
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUZ30AH3045AATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V.

Інші пропозиції BUZ30AH3045AATMA1 за ціною від 46.79 грн до 181.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BUZ30AH3045AATMA1 BUZ30AH3045AATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BUZ30AH3045A-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 21A; 125W; PG-TO263-3
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3
On-state resistance: 0.13Ω
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 21A
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+53.35 грн
8+ 46.79 грн
Мінімальне замовлення: 7
BUZ30AH3045AATMA1 BUZ30AH3045AATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BUZ30AH3045A-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 21A; 125W; PG-TO263-3
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3
On-state resistance: 0.13Ω
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 21A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+58.3 грн
Мінімальне замовлення: 5
BUZ30AH3045AATMA1 BUZ30AH3045AATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BUZ30AH3045A-DS-v02_02-en-1731331.pdf MOSFET N-Ch 200V 21A D2PAK-2
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+181.09 грн
10+ 161.03 грн
100+ 112.29 грн
500+ 91.81 грн
1000+ 76.62 грн
2000+ 72 грн
Мінімальне замовлення: 2
BUZ30AH3045AATMA1 BUZ30AH3045AATMA1 Виробник : Infineon Technologies buz30ah3045arev2.1.pdffolderiddb3a304325305e6d012596c6ca7b290afileiddb3a304325305e6d012596cd.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
BUZ30AH3045AATMA1 BUZ30AH3045AATMA1 Виробник : Infineon Technologies Buz30a+H3045A+Rev+2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a304325305e6d012596cd45e4290f Description: MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товар відсутній
BUZ30AH3045AATMA1 BUZ30AH3045AATMA1 Виробник : Infineon Technologies Buz30a+H3045A+Rev+2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a304325305e6d012596cd45e4290f Description: MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товар відсутній