BXS049N08P BRIDGELUX
Виробник: BRIDGELUXCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 85V; 79A; Idm: 560A; 189W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 85V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 189W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 64.08 грн |
| 10+ | 38.33 грн |
| 25+ | 34.6 грн |
| 31+ | 26.6 грн |
| 84+ | 25.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BXS049N08P BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 85V; 79A; Idm: 560A; 189W; TO220, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 85V, Drain current: 79A, Pulsed drain current: 560A, Power dissipation: 189W, Case: TO220, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 4.9mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 72nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції BXS049N08P за ціною від 30.17 грн до 76.9 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BXS049N08P | Виробник : BRIDGELUX |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 85V; 79A; Idm: 560A; 189W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 85V Drain current: 79A Pulsed drain current: 560A Power dissipation: 189W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.9mΩ Mounting: THT Gate charge: 72nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 591 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|