на замовлення 7490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
24+ | 12.87 грн |
35+ | 8.89 грн |
100+ | 6.47 грн |
500+ | 5.15 грн |
1000+ | 4.49 грн |
2500+ | 3.43 грн |
7500+ | 2.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYG10J Diotec Semiconductor
Category: SMD universal diodes, Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1.5A; 1.5us; SMA; Ufmax: 1.15V; Ir: 50uA, Type of diode: rectifying, Mounting: SMD, Max. off-state voltage: 0.6kV, Load current: 1.5A, Max. load current: 5A, Reverse recovery time: 1.5µs, Semiconductor structure: single diode, Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect, Case: SMA, Max. forward voltage: 1.15V, Max. forward impulse current: 27A, Leakage current: 50µA, Kind of package: reel; tape, кількість в упаковці: 25 шт.
Інші пропозиції BYG10J
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
BYG10J | Виробник : Diotec Semiconductor | Diode Switching 600V 1.5A 2-Pin SMA T/R |
товар відсутній |
||
BYG10J | Виробник : Diotec Semiconductor | Diode Switching 600V 1.5A 2-Pin SMA T/R |
товар відсутній |
||
BYG10J | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1.5A; 1.5us; SMA; Ufmax: 1.15V; Ir: 50uA Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1.5A Max. load current: 5A Reverse recovery time: 1.5µs Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect Case: SMA Max. forward voltage: 1.15V Max. forward impulse current: 27A Leakage current: 50µA Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 25 шт |
товар відсутній |
||
BYG10J | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: IC Packaging: Bulk Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: SMA/DO-214AC Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
товар відсутній |
||
BYG10J | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1.5A; 1.5us; SMA; Ufmax: 1.15V; Ir: 50uA Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1.5A Max. load current: 5A Reverse recovery time: 1.5µs Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect Case: SMA Max. forward voltage: 1.15V Max. forward impulse current: 27A Leakage current: 50µA Kind of package: reel; tape |
товар відсутній |