BYG10Y-M3/TR3 Vishay General Semiconductor
на замовлення 7475 шт:
термін постачання 77-86 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 34.04 грн |
11+ | 28.33 грн |
100+ | 17.16 грн |
500+ | 13.42 грн |
1000+ | 10.88 грн |
2500+ | 10.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYG10Y-M3/TR3 Vishay General Semiconductor
Description: DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 4 µs, Technology: Avalanche, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1600 V.
Інші пропозиції BYG10Y-M3/TR3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
BYG10Y-M3/TR3 | Виробник : Vishay | Diode Switching 1.6KV 1.5A 2-Pin SMA T/R |
товар відсутній |
||
BYG10Y-M3/TR3 | Виробник : Vishay | Diode Switching 1.6KV 1.5A 2-Pin SMA T/R |
товар відсутній |
||
BYG10Y-M3/TR3 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1600 V |
товар відсутній |