на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 41.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYM36E-TAP Vishay
Category: THT universal diodes, Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 2.9A; Ammo Pack; Ifsm: 65A; SOD64; 150ns, Mounting: THT, Kind of package: Ammo Pack, Case: SOD64, Type of diode: rectifying, Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated, Max. off-state voltage: 1kV, Max. forward voltage: 1.28V, Load current: 2.9A, Semiconductor structure: single diode, Reverse recovery time: 150ns, Max. forward impulse current: 65A, Leakage current: 0.1mA, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції BYM36E-TAP за ціною від 26.67 грн до 83.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BYM36E-TAP | Виробник : Vishay Semiconductors |
 Rectifiers 1000 Volt 2.9 Amp 65 Amp IFSM |
на замовлення 773 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BYM36E-TAP | Виробник : VISHAY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 2.9A; Ammo Pack; Ifsm: 65A; SOD64; 150ns Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Case: SOD64 Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Max. off-state voltage: 1kV Max. forward voltage: 1.28V Load current: 2.9A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 150ns Max. forward impulse current: 65A Leakage current: 0.1mA |
на замовлення 1740 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BYM36E-TAP | Виробник : VISHAY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 2.9A; Ammo Pack; Ifsm: 65A; SOD64; 150ns Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Case: SOD64 Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Max. off-state voltage: 1kV Max. forward voltage: 1.28V Load current: 2.9A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 150ns Max. forward impulse current: 65A Leakage current: 0.1mA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1740 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BYM36E-TAP | Виробник : Vishay Semiconductor Diodes Division |
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 2.9A SOD64 |
на замовлення 689 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BYM36E-TAP | Виробник : Vishay |
Rectifier Diode Switching 1KV 2.9A 150ns 2-Pin SOD-64 Ammo |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
BYM36E-TAP | Виробник : Vishay |
Rectifier Diode Switching 1KV 2.9A 150ns 2-Pin SOD-64 Ammo |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
BYM36E-TAP | Виробник : Vishay Semiconductor Diodes Division |
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 2.9A SOD64 |
товар відсутній |