BYT56M-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 3A SOD64
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 3A SOD64
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 73.29 грн |
10+ | 57.5 грн |
100+ | 44.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYT56M-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 3A SOD64, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: SOD-64, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 100 ns, Technology: Avalanche, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: SOD-64, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V.
Інші пропозиції BYT56M-TAP за ціною від 27.27 грн до 90.16 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BYT56M-TAP | Виробник : Vishay Semiconductors | Rectifiers 1000 Volt 3.0 Amp 80 Amp IFSM |
на замовлення 9607 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BYT56M-TAP | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - BYT56M-TAP - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1.4 V, 100 ns, 80 A tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Sperrverzögerungszeit: 100ns rohsCompliant: YES Durchlassstoßstrom: 80A Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A Anzahl der Pins: 2Pins euEccn: NLR Durchlassspannung, max.: 1.4V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 |
на замовлення 24765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BYT56M-TAP | Виробник : Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 3A 100ns 2-Pin SOD-64 Ammo |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BYT56M-TAP | Виробник : Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 3A 100ns 2-Pin SOD-64 Ammo |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BYT56M-TAP | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 3A SOD64 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
товар відсутній |