на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 388.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис C2M1000170J Wolfspeed
Description: SICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-263-7 (Straight Leads), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 20V, Power Dissipation (Max): 78W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA, Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції C2M1000170J за ціною від 367.21 грн до 773.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
C2M1000170J | Виробник : Wolfspeed |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.3A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
C2M1000170J | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.3A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
C2M1000170J | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.3A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube |
на замовлення 647 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
C2M1000170J | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.3A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
C2M1000170J | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5.3A; 78W; D2PAK-7; 20ns Power dissipation: 78W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 13nC Technology: SiC; Z-FET™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -10...25V Mounting: SMD Case: D2PAK-7 Reverse recovery time: 20ns Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 5.3A On-state resistance: 1Ω Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
C2M1000170J | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.3A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
C2M1000170J | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
Description: SICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-7 (Straight Leads) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 20V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 1000 V |
на замовлення 1261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
C2M1000170J | Виробник : Wolfspeed | MOSFET SIC MOSFET 1700V RDS ON 1 Ohm |
на замовлення 5681 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
C2M1000170J | Виробник : WOLFSPEED |
Description: WOLFSPEED - C2M1000170J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 5.3 A, 1.7 kV, 1 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm |
на замовлення 935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
C2M1000170J | Виробник : MACOM | MOSFET SIC MOSFET 1700V RDS ON 1 Ohm |
на замовлення 5927 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
C2M1000170J | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5.3A; 78W; D2PAK-7; 20ns Power dissipation: 78W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 13nC Technology: SiC; Z-FET™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -10...25V Mounting: SMD Case: D2PAK-7 Reverse recovery time: 20ns Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 5.3A On-state resistance: 1Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 70 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| C2M1000170J | Виробник : CREE |
N-MOSFET 1700V 5.3A C2M1000170J-TR C2M1000170J Cree/Wolfspeed TC2M1000170J кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
C2M1000170J Код товару: 144493 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
|
|
C2M1000170J | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.3A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube |
товар відсутній |