C3M0016120K Wolfspeed
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 5048.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис C3M0016120K Wolfspeed
Description: SICFET N-CH 1.2KV 115A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.3mOhm @ 75A, 15V, Power Dissipation (Max): 556W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 23mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +15V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6085 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції C3M0016120K за ціною від 4649.99 грн до 6531.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
C3M0016120K | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
 Description: SICFET N-CH 1.2KV 115A TO247-4Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.3mOhm @ 75A, 15V Power Dissipation (Max): 556W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 23mA Supplier Device Package: TO-247-4L Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +15V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6085 pF @ 1000 V |
на замовлення 309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
C3M0016120K | Виробник : WOLFSPEED |
Description: WOLFSPEED - C3M0016120K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 115 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 556W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0223ohm |
на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
C3M0016120K | Виробник : Wolfspeed |
MOSFET SiC MOSFET G3 1200V 16mOhms |
на замовлення 487 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| C3M0016120K | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||
|
|
C3M0016120K | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
C3M0016120K | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
| C3M0016120K | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 556W Type of transistor: N-MOSFET Technology: C3M™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 85A Pulsed drain current: 250A Power dissipation: 556W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -8...19V On-state resistance: 28.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 211nC Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
| C3M0016120K | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 556W Type of transistor: N-MOSFET Technology: C3M™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 85A Pulsed drain current: 250A Power dissipation: 556W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -8...19V On-state resistance: 28.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 211nC Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
товар відсутній |