Продукція > WOLFSPEED > C3M0060065J
C3M0060065J

C3M0060065J Wolfspeed

c3m0060065j.pdf Виробник: Wolfspeed
650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+709.87 грн
Мінімальне замовлення: 17
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис C3M0060065J Wolfspeed

Description: SICFET N-CH 650V 36A TO263-7, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V, Power Dissipation (Max): 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA, Supplier Device Package: TO-263-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +15V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 600 V.

Інші пропозиції C3M0060065J за ціною від 517.34 грн до 1186.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
C3M0060065J C3M0060065J Виробник : Wolfspeed c3m0060065j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 36A Automotive 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
на замовлення 2642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+795.56 грн
100+ 755.8 грн
250+ 742.4 грн
500+ 659.58 грн
1000+ 563.06 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0060065J C3M0060065J Виробник : Wolfspeed c3m0060065j.pdf 650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+856.76 грн
100+ 813.94 грн
250+ 799.5 грн
500+ 710.32 грн
1000+ 606.37 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0060065J C3M0060065J Виробник : Wolfspeed c3m0060065j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 36A Automotive 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+864.81 грн
100+ 813.38 грн
250+ 796.14 грн
500+ 697.37 грн
1000+ 587.9 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0060065J C3M0060065J Виробник : Wolfspeed c3m0060065j.pdf 650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+931.34 грн
100+ 875.95 грн
250+ 857.39 грн
500+ 751.02 грн
1000+ 633.12 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0060065J C3M0060065J Виробник : Wolfspeed, Inc. Description: SICFET N-CH 650V 36A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 600 V
на замовлення 3995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1093.18 грн
50+ 851.96 грн
100+ 801.85 грн
500+ 681.95 грн
C3M0060065J C3M0060065J Виробник : Wolfspeed MOSFET SiC, MOSFET, 60mO, 650V, TO-263-7, Industrial, Gen 3
на замовлення 1539 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1186.72 грн
10+ 1031.52 грн
25+ 872.53 грн
50+ 727.22 грн
100+ 670.42 грн
250+ 665.79 грн
500+ 623.52 грн
C3M0060065J Виробник : Wolfspeed c3m0060065j.pdf C3M0060065J
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+600.29 грн
100+ 544.54 грн
200+ 517.34 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0060065J C3M0060065J Виробник : Wolfspeed c3m0060065j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 36A Automotive 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
товар відсутній
C3M0060065J Виробник : Wolfspeed(CREE) C3M0060065J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 99A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 99A
Power dissipation: 136W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C3M0060065J Виробник : Wolfspeed(CREE) C3M0060065J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 99A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 99A
Power dissipation: 136W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товар відсутній