на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 856.19 грн |
10+ | 806.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис C3M0075120D Wolfspeed
Description: SICFET N-CH 1200V 30A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V, Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +19V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції C3M0075120D за ціною від 670.42 грн до 1474.21 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
C3M0075120D | Виробник : Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
C3M0075120D | Виробник : Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 5400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
C3M0075120D | Виробник : Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
C3M0075120D | Виробник : Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 5400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
C3M0075120D | Виробник : Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
C3M0075120D | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 19.7A; Idm: 80A; 113.6W Type of transistor: N-MOSFET Technology: C3M™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 19.7A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 113.6W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -8...19V On-state resistance: 0.105Ω Mounting: THT Gate charge: 54nC Kind of channel: enhanced |
на замовлення 58 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
C3M0075120D | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
Description: SICFET N-CH 1200V 30A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +19V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
C3M0075120D | Виробник : WOLFSPEED |
Description: WOLFSPEED - C3M0075120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 113.6W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm |
на замовлення 83 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
C3M0075120D | Виробник : Wolfspeed | MOSFET 1.2kV 75mOHMS G3 SiC MOSFET |
на замовлення 575 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
C3M0075120D | Виробник : MACOM | MOSFET 1.2kV 75mOHMS G3 SiC MOSFET |
на замовлення 575 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
C3M0075120D | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 19.7A; Idm: 80A; 113.6W Type of transistor: N-MOSFET Technology: C3M™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 19.7A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 113.6W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -8...19V On-state resistance: 0.105Ω Mounting: THT Gate charge: 54nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 58 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
C3M0075120D | Виробник : Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|