C3M0280090J Wolfspeed(CREE)
Виробник: Wolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 11A; 50W; D2PAK-7; 20ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 20ns
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 384.56 грн |
| 3+ | 291.04 грн |
| 8+ | 275.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис C3M0280090J Wolfspeed(CREE)
Description: SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA, Supplier Device Package: TO-263-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +18V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V.
Інші пропозиції C3M0280090J за ціною від 267.46 грн до 591.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
C3M0280090J | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
C3M0280090J | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 11A; 50W; D2PAK-7; 20ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: C3M™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 11A Power dissipation: 50W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -8...19V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Gate charge: 9.5nC Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Reverse recovery time: 20ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 29 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
C3M0280090J | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
Description: SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +18V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V |
на замовлення 1311 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
C3M0280090J | Виробник : Wolfspeed |
MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280 mOhm |
на замовлення 941 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
C3M0280090J | Виробник : MACOM |
MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280 mOhm |
на замовлення 941 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
C3M0280090J | Виробник : WOLFSPEED |
Description: WOLFSPEED - C3M0280090J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11 A, 900 V, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm |
на замовлення 174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| C3M0280090J | Виробник : CREE |
N-MOSFET 900V 11A C3M0280090J Cree/Wolfspeed TC3M0280090J кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| C3M0280090J | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
C3M0280090J Код товару: 118894 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||
|
|
C3M0280090J | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
C3M0280090J | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK |
товар відсутній |