на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 282.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис C3M0350120D Wolfspeed
Description: SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 3.6A, 15V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +15V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції C3M0350120D за ціною від 214.23 грн до 530.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
C3M0350120D | Виробник : Wolfspeed |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
C3M0350120D | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
Description: SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 3.6A, 15V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +15V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 1000 V |
на замовлення 3244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
C3M0350120D | Виробник : Wolfspeed |
MOSFET SiC, MOSFET, 350mO,1200V, TO-247-3, Industrial |
на замовлення 6024 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
C3M0350120D | Виробник : MACOM |
MOSFET SiC, MOSFET, 350mohm,1200V, TO-247-3, Industrial, Gen 3 |
на замовлення 6110 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| C3M0350120D | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
C3M0350120D | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
C3M0350120D | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| C3M0350120D | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 5.5A; Idm: 20A; 50W Mounting: THT Case: TO247-3 Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 5.5A On-state resistance: 525mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Gate charge: 19nC Technology: C3M™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -8...19V Pulsed drain current: 20A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| C3M0350120D | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 5.5A; Idm: 20A; 50W Mounting: THT Case: TO247-3 Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 5.5A On-state resistance: 525mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Gate charge: 19nC Technology: C3M™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -8...19V Pulsed drain current: 20A |
товар відсутній |