на замовлення 601 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 478.23 грн |
| 10+ | 456.81 грн |
| 50+ | 337.81 грн |
| 100+ | 288.41 грн |
| 500+ | 264.37 грн |
| 1000+ | 248.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис C3M0350120J Wolfspeed
Description: SICFET N-CH 1200V 7.2A TO263-7, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 3.6A, 15V, Power Dissipation (Max): 40.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-263-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +15V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції C3M0350120J за ціною від 281.2 грн до 493.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
C3M0350120J | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
 Description: SICFET N-CH 1200V 7.2A TO263-7Packaging: Tube Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 3.6A, 15V Power Dissipation (Max): 40.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +15V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 1000 V |
на замовлення 624 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| C3M0350120J | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
||||||||||||
| C3M0350120J | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 5A; Idm: 20A; 40.8W Mounting: SMD Case: D2PAK-7 Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 5A On-state resistance: 525mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 40.8W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 13nC Technology: C3M™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -8...19V Pulsed drain current: 20A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
| C3M0350120J | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 5A; Idm: 20A; 40.8W Mounting: SMD Case: D2PAK-7 Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 5A On-state resistance: 525mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 40.8W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 13nC Technology: C3M™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -8...19V Pulsed drain current: 20A |
товар відсутній |