на замовлення 2220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 651.15 грн |
| 10+ | 588.87 грн |
| 25+ | 500.04 грн |
| 75+ | 435.28 грн |
| 300+ | 400.57 грн |
| 525+ | 357.17 грн |
| 1050+ | 356.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис C4D08120E Wolfspeed
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 24.5A TO252, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 560pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 24.5A, Supplier Device Package: TO-252-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції C4D08120E за ціною від 364.01 грн до 709.9 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
C4D08120E | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
 Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 24.5A TO252Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 560pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 24.5A Supplier Device Package: TO-252-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 1200 V |
на замовлення 1057 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
C4D08120E | Виробник : Wolfspeed |
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 24.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 |
на замовлення 2775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| C4D08120E | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
C4D08120E SMD Schottky diodes |
товар відсутній |