CAS120M12BM2 Wolfspeed, Inc.
Виробник: Wolfspeed, Inc.Description: MOSFET 2N-CH 1200V 193A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 925W
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 193A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6470pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 120A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 378nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 6mA (Typ)
Supplier Device Package: Module
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 35977.67 грн |
| 10+ | 33342.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CAS120M12BM2 Wolfspeed, Inc.
Description: WOLFSPEED - CAS120M12BM2 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 193 A, 1.2 kV, 0.013 ohm, Module, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 193A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 925W, Bauform - Transistor: Module, Anzahl der Pins: -Pin(s), productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm.
Інші пропозиції CAS120M12BM2 за ціною від 32778.58 грн до 45896.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CAS120M12BM2 | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 193A 7-Pin Box |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
CAS120M12BM2 | Виробник : Wolfspeed |
Discrete Semiconductor Modules 1200V, 120A, SiC Half Bridge Module |
на замовлення 111 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
CAS120M12BM2 | Виробник : MACOM |
Discrete Semiconductor Modules 1200V, 120A, SiC Half Bridge Module |
на замовлення 160 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
CAS120M12BM2 | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 200A 7-Pin Box |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
CAS120M12BM2 | Виробник : WOLFSPEED |
Description: WOLFSPEED - CAS120M12BM2 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 193 A, 1.2 kV, 0.013 ohm, Module tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 193A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 925W Bauform - Transistor: Module Anzahl der Pins: -Pin(s) productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm |
на замовлення 64 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
CAS120M12BM2 | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 193A 7-Pin Box |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
CAS120M12BM2 Код товару: 148154 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 |
товар відсутній
|
|||||||||||||||
| CAS120M12BM2 | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 193A 7-Pin Box |
товар відсутній |
||||||||||||||
|
|
CAS120M12BM2 | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 200A 7-Pin Box |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
CAS120M12BM2 | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 138A; Half-Bridge Module Type of module: MOSFET transistor Operating temperature: -40...125°C Case: Half-Bridge Module Polarisation: unipolar Power dissipation: 925W Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Technology: C2M™; SiC; Z-Rec® Gate-source voltage: -5...20V Topology: MOSFET half-bridge Pulsed drain current: 480A Semiconductor structure: transistor/transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 138A On-state resistance: 13mΩ кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
CAS120M12BM2 | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 138A; Half-Bridge Module Type of module: MOSFET transistor Operating temperature: -40...125°C Case: Half-Bridge Module Polarisation: unipolar Power dissipation: 925W Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Technology: C2M™; SiC; Z-Rec® Gate-source voltage: -5...20V Topology: MOSFET half-bridge Pulsed drain current: 480A Semiconductor structure: transistor/transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 138A On-state resistance: 13mΩ |
товар відсутній |