CBS05F30,L3F

CBS05F30,L3F Toshiba Semiconductor and Storage


docget.jsp?did=2596&prodName=CBS05F30 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 500MA CST2B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 118pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: CST2B
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V
на замовлення 9981 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+183.23 грн
10+ 148.35 грн
100+ 120 грн
500+ 100.1 грн
1000+ 85.71 грн
2000+ 80.71 грн
5000+ 78.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CBS05F30,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

Description: DIODE SCHOTTKY 30V 500MA CST2B, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 2-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 118pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 500mA, Supplier Device Package: CST2B, Operating Temperature - Junction: 125°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V.

Інші пропозиції CBS05F30,L3F за ціною від 84.36 грн до 202.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
CBS05F30,L3F CBS05F30,L3F Виробник : Toshiba CBS05F30_datasheet_en_20181116-1144055.pdf Schottky Diodes & Rectifiers Small Sig Schottky Vr=30V Io=0.5A
на замовлення 5748 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+202.27 грн
10+ 167.29 грн
100+ 118.24 грн
250+ 111.6 грн
500+ 104.95 грн
1000+ 84.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
CBS05F30,L3F CBS05F30,L3F Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=2596&prodName=CBS05F30 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 500MA CST2B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 118pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: CST2B
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V
товар відсутній