Продукція > CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP > CDM22011-600LRFP SL
CDM22011-600LRFP SL

CDM22011-600LRFP SL Central Semiconductor Corp

CDM22011-600LRFP.PDF Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.05 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 100 V
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+168.14 грн
10+ 145.38 грн
100+ 116.84 грн
500+ 90.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CDM22011-600LRFP SL Central Semiconductor Corp

Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220FP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): 30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.05 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 100 V.

Інші пропозиції CDM22011-600LRFP SL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
CDM22011-600LRFP SL CDM22011-600LRFP SL Виробник : Central Semiconductor cdm22011-600lrfp-764998.pdf MOSFET N-Ch 11A PFC FET 600V 4.45nC 0.3Ohm
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)