Технічний опис CIL21NR82KNE SAMSUNG
Inductor RF Shielded Multi-Layer 0.82uH 10% 25MHz 25Q-Factor Ferrite 0.15A 0.6Ohm DCR 0805 T/R.
Інші пропозиції CIL21NR82KNE
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
CIL21NR82KNE | Виробник : SAMSUNGEM |
 Inductor RF Shielded Multi-Layer 0.82uH 10% 25MHz 25Q-Factor Ferrite 0.15A 0.6Ohm DCR 0805 T/R |
товар відсутній |