CPH3116-TL-E onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS PNP 50V 1A 3CPH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 430mV @ 10mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 420MHz
Supplier Device Package: 3-CPH
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CPH3116-TL-E onsemi
Description: TRANS PNP 50V 1A 3CPH, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 430mV @ 10mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V, Frequency - Transition: 420MHz, Supplier Device Package: 3-CPH, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 900 mW.
Інші пропозиції CPH3116-TL-E за ціною від 6.79 грн до 35.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CPH3116-TL-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - CPH3116-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 900 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 1A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 900mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: 420MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 5882 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CPH3116-TL-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - CPH3116-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 900 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 1A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 900mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: 420MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 5882 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CPH3116-TL-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 50V 1A 3CPH Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 430mV @ 10mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 420MHz Supplier Device Package: 3-CPH Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 900 mW |
на замовлення 5988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CPH3116-TL-E | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 1A 50V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 197-206 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| CPH3116-TL-E | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 2831 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| CPH3116-TL-E | Виробник : ONSEMI |
CPH3116-TL-E PNP SMD transistors |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| CPH3116-TL-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 1A 900mW 3-Pin CPH T/R |
товар відсутній |