CPH3122-TL-E Sanyo
Виробник: Sanyo
Description: TRANS PNP 30V 3A 3CPH
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 75mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 420MHz
Supplier Device Package: 3-CPH
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 900 mW
Description: TRANS PNP 30V 3A 3CPH
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 75mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 420MHz
Supplier Device Package: 3-CPH
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 900 mW
на замовлення 36500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2659+ | 7.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CPH3122-TL-E Sanyo
Description: ONSEMI - CPH3122-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 3 A, 900 mW, TO-236AB (SOT-23), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 900mW, Bauform - Transistor: TO-236AB (SOT-23), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 400MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції CPH3122-TL-E за ціною від 8.22 грн до 8.22 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
CPH3122-TL-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - CPH3122-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 3 A, 900 mW, TO-236AB (SOT-23), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 900mW Bauform - Transistor: TO-236AB (SOT-23) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 400MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 36500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
CPH3122-TL-E | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 3A 900mW 3-Pin CPH T/R |
товар відсутній |
||||||
CPH3122-TL-E | Виробник : ON Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 3A 30V |
товар відсутній |