Технічний опис CPH3245-TL-E ON Semiconductor
Description: ONSEMI - CPH3245-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 900 mW, TO-236AB (SOT-23), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 900mW, Bauform - Transistor: TO-236AB (SOT-23), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 420MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції CPH3245-TL-E
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
CPH3245-TL-E | Виробник : ON Semiconductor | Description: TRANS NPN 50V 2A CPH3 |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
CPH3245-TL-E | Виробник : ON Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 50V |
на замовлення 4852 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||
CPH3245-TL-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - CPH3245-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 900 mW, TO-236AB (SOT-23), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 900mW Bauform - Transistor: TO-236AB (SOT-23) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 420MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |