Продукція > ONSEMI > CPH3413-TL-E
CPH3413-TL-E

CPH3413-TL-E onsemi


Виробник: onsemi
Description: N-CHANNEL SILICON MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 504000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1158+18.73 грн
Мінімальне замовлення: 1158
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CPH3413-TL-E onsemi

Description: N-CHANNEL SILICON MOSFET, Packaging: Bulk, Package / Case: SC-96, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 4V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA, Supplier Device Package: 3-CPH, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 10 V.

Інші пропозиції CPH3413-TL-E

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
CPH3413-TL-E Виробник : SANYO
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
CPH3413TLE Виробник : SANYO 05+ SOP28
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
CPH3413-TL-E Виробник : SAYNO SOT23
на замовлення 2921 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
CPH3413-TL-E Виробник : Sanyo Description: N-CHANNEL SILICON MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 3-CPH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 10 V
товар відсутній