на замовлення 1023000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1158+ | 17.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CPH3431-TL-E onsemi
Description: ONSEMI - CPH3431-TL-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 600 mA, 1.8 ohm, CPH, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 600mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: CPH, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції CPH3431-TL-E за ціною від 17.3 грн до 19.2 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
CPH3431-TL-E | Виробник : Sanyo |
 Description: N-CHANNEL SILICON MOSFET FOR GENPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 207000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
CPH3431-TL-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - CPH3431-TL-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 600 mA, 1.8 ohm, CPH, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: CPH Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 207000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|