Продукція > ONSEMI > CPH6318-TL-E
CPH6318-TL-E

CPH6318-TL-E onsemi


cph6318d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 12V 6A 6CPH
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-CPH
Part Status: Active
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 6 V
на замовлення 105460 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2664+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 2664
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CPH6318-TL-E onsemi

Description: MOSFET P-CH 12V 6A 6CPH, Packaging: Bulk, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: 6-CPH, Part Status: Active, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 6 V.

Інші пропозиції CPH6318-TL-E за ціною від 7.55 грн до 7.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
CPH6318-TL-E CPH6318-TL-E Виробник : ONSEMI cph6318d.pdf Description: ONSEMI - CPH6318-TL-E - HIGH-SPEED SWITCHING APPLICATIONS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 105460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6000+7.55 грн
Мінімальне замовлення: 6000