Продукція > TEXAS INSTRUMENTS > CSD13302W
CSD13302W

CSD13302W Texas Instruments

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd13302w Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.1mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 862 pF @ 6 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD13302W Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.1mOhm @ 1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA, Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 862 pF @ 6 V.

Інші пропозиції CSD13302W за ціною від 5.81 грн до 29.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
CSD13302W CSD13302W Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd13302w Description: MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.1mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 862 pF @ 6 V
на замовлення 5890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+27.44 грн
14+ 20.72 грн
100+ 12.43 грн
500+ 10.8 грн
1000+ 7.34 грн
Мінімальне замовлення: 11
CSD13302W CSD13302W Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd13302w MOSFET 12-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single WLP 1 mm x 1 mm, 17.1 mOhm 4-DSBGA
на замовлення 8520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+29.68 грн
13+ 23.72 грн
100+ 12.08 грн
1000+ 7.94 грн
3000+ 7.21 грн
9000+ 6.41 грн
24000+ 5.81 грн
Мінімальне замовлення: 11
CSD13302W CSD13302W Виробник : Texas Instruments getliterature.pdf Trans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R
товар відсутній