Продукція > CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP > CWDM3011N TR13 PBFREE
CWDM3011N TR13 PBFREE

CWDM3011N TR13 PBFREE Central Semiconductor Corp

CWDM3011N.PDF Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+16.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CWDM3011N TR13 PBFREE Central Semiconductor Corp

Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): 20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 15 V.

Інші пропозиції CWDM3011N TR13 PBFREE за ціною від 16.54 грн до 46.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
CWDM3011N TR13 PBFREE CWDM3011N TR13 PBFREE Виробник : Central Semiconductor Corp CWDM3011N.PDF Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 15 V
на замовлення 4383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+46.94 грн
10+ 38.87 грн
100+ 29.03 грн
500+ 21.41 грн
1000+ 16.54 грн
Мінімальне замовлення: 7
CWDM3011N TR13 PBFREE CWDM3011N TR13 PBFREE Виробник : Central Semiconductor CWDM3011N.PDF MOSFET N-Ch Enh Mode FET 30Vds 20Vgs 2.5W
товар відсутній