D45H11G ON Semiconductor
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 350+ | 31.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис D45H11G ON Semiconductor
Description: TRANS PNP 80V 10A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V, Frequency - Transition: 40MHz, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 2 W.
Інші пропозиції D45H11G за ціною від 20.71 грн до 73.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
D45H11G | Виробник : onsemi |
 Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 50W PNP |
на замовлення 838 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
D45H11G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - D45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 80 V, 10 A, 70 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 10A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Übergangsfrequenz: 40MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| D45H11G | Виробник : ON |
2010+ |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
|
D45H11G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
D45H11G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
D45H11G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
D45H11G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 10A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W |
товар відсутній |