DCG85X1200NA IXYS
Виробник: IXYSDescription: DIODE MOD SCHOTTKY 1200V SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 43A
Supplier Device Package: SOT-227B
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1200 V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 10363.25 грн |
| 10+ | 9346.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DCG85X1200NA IXYS
Description: DIODE MOD SCHOTTKY 1200V SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 43A, Supplier Device Package: SOT-227B, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 40 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції DCG85X1200NA за ціною від 11541.66 грн до 11930.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DCG85X1200NA | Виробник : IXYS |
Schottky Diodes & Rectifiers SCHOTTKY DIODE |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
|
DCG85X1200NA Код товару: 126971 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 |
товар відсутній
|
|||||||||
 |
DCG85X1200NA | Виробник : IXYS |
Category: Diode modules Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 41Ax2; SOT227B; screw Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: double independent Case: SOT227B Type of module: diode Features of semiconductor devices: Schottky Technology: SiC Max. forward voltage: 2.2V Load current: 41A x2 Max. forward impulse current: 1.15kA Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||
|
|
DCG85X1200NA | Виробник : IXYS |
Category: Diode modules Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 41Ax2; SOT227B; screw Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: double independent Case: SOT227B Type of module: diode Features of semiconductor devices: Schottky Technology: SiC Max. forward voltage: 2.2V Load current: 41A x2 Max. forward impulse current: 1.15kA Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw |
товар відсутній |