DD1000S33HE3BPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE MOD GP 3300V AGIHVB130-3
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: AG-IHVB130-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.85 V @ 1000 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1000 A @ 1800 V
Description: DIODE MOD GP 3300V AGIHVB130-3
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: AG-IHVB130-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.85 V @ 1000 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1000 A @ 1800 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 77746.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DD1000S33HE3BPSA1 Infineon Technologies
Description: DIODE MOD GP 3300V AGIHVB130-3, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Diode Configuration: 2 Independent, Supplier Device Package: AG-IHVB130-3, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.85 V @ 1000 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1000 A @ 1800 V.
Інші пропозиції DD1000S33HE3BPSA1 за ціною від 86192.98 грн до 86192.98 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DD1000S33HE3BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE MOD GP 3300V AGIHVB130-3 Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 2 Independent Supplier Device Package: AG-IHVB130-3 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.85 V @ 1000 A |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
DD1000S33HE3BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Rectifier Diode |
товар відсутній |
||||||
DD1000S33HE3BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Diode 3.3KV 1KA Automotive 4-Pin Tray |
товар відсутній |
||||||
DD1000S33HE3BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Diode 3.3KV 1KA Automotive 4-Pin Tray |
товар відсутній |