DDTA114YLP-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.61 грн |
| 6000+ | 7.02 грн |
| 9000+ | 6.32 грн |
| 30000+ | 5.84 грн |
| 75000+ | 5.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DDTA114YLP-7 Diodes Incorporated
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-UFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: X1-DFN1006-3, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.
Інші пропозиції DDTA114YLP-7 за ціною від 7.47 грн до 28.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DDTA114YLP-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DDTA114YLP-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - Pre-Biased 250mW 10KOhm |
на замовлення 1345 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
DDTA114YLP-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW 3-Pin DFN T/R |
товар відсутній |