Продукція > DIODES INC. > DDTB114EC-7-F
DDTB114EC-7-F

DDTB114EC-7-F DIODES INC.

DDTB_XXXX_C.pdf Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DDTB114EC-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+3.78 грн
1000+ 2.28 грн
5000+ 1.95 грн
Мінімальне замовлення: 500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DDTB114EC-7-F DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DDTB114EC-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DDTB114EC-7-F за ціною від 1.86 грн до 20.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DDTB114EC-7-F DDTB114EC-7-F Виробник : Diodes Incorporated DDTB_XXXX_C.pdf Digital Transistors 200MW 10K
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+18.06 грн
25+ 12.22 грн
100+ 4.38 грн
1000+ 3.06 грн
3000+ 2.32 грн
9000+ 1.99 грн
24000+ 1.86 грн
Мінімальне замовлення: 18
DDTB114EC-7-F DDTB114EC-7-F Виробник : DIODES INC. DDTB_XXXX_C.pdf Description: DIODES INC. - DDTB114EC-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
37+20.27 грн
54+ 13.86 грн
137+ 5.48 грн
500+ 3.78 грн
1000+ 2.28 грн
5000+ 1.95 грн
Мінімальне замовлення: 37
DDTB114EC-7-F DDTB114EC-7-F Виробник : Diodes Incorporated DDTB_XXXX_C.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
товар відсутній