DG15X06T1 STARPOWER SEMICONDUCTOR
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 24A; 235W; TO220
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 24A
Power dissipation: 235W
Case: TO220
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 208ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 24A; 235W; TO220
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 24A
Power dissipation: 235W
Case: TO220
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 208ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 115.35 грн |
5+ | 96.33 грн |
12+ | 71.17 грн |
32+ | 67.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DG15X06T1 STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 600V; 24A; 235W; TO220, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 600V, Collector current: 24A, Power dissipation: 235W, Case: TO220, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 45A, Mounting: THT, Gate charge: 0.1µC, Kind of package: tube, Turn-on time: 23ns, Turn-off time: 208ns, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції DG15X06T1 за ціною від 81.09 грн до 138.42 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DG15X06T1 | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 24A; 235W; TO220 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 24A Power dissipation: 235W Case: TO220 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 45A Mounting: THT Gate charge: 0.1µC Kind of package: tube Turn-on time: 23ns Turn-off time: 208ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 73 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||
DG15X06T1 | Виробник : STARPOWER |
Description: STARPOWER - DG15X06T1 - IGBT, 27 A, 1.45 V, 235 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s) MSL: - Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45 Verlustleistung Pd: 235 Bauform - Transistor: TO-220 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: DOSEMI DC-Kollektorstrom: 27 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||
DG15X06T1 Код товару: 194227 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|