DG50Q12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 672W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector current: 50A
Case: TO247PLUS
Mounting: THT
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 172ns
Turn-off time: 338ns
Collector-emitter voltage: 1200V
Power dissipation: 672W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Kind of package: tube
Gate charge: 0.37µC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 672W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector current: 50A
Case: TO247PLUS
Mounting: THT
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 172ns
Turn-off time: 338ns
Collector-emitter voltage: 1200V
Power dissipation: 672W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Kind of package: tube
Gate charge: 0.37µC
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 632.09 грн |
2+ | 392.22 грн |
6+ | 370.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DG50Q12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR
Description: STARPOWER - DG50Q12T2 - IGBT, 100 A, 2 V, 672 W, 1.2 kV, TO-247 Plus, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 672W, Bauform - Transistor: TO-247 Plus, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DOSEMI Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції DG50Q12T2 за ціною від 444.8 грн до 835.05 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DG50Q12T2 | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 672W; TO247PLUS Type of transistor: IGBT Collector current: 50A Case: TO247PLUS Mounting: THT Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Turn-on time: 172ns Turn-off time: 338ns Collector-emitter voltage: 1200V Power dissipation: 672W Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Kind of package: tube Gate charge: 0.37µC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 70 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
DG50Q12T2 | Виробник : STARPOWER |
Description: STARPOWER - DG50Q12T2 - IGBT, 100 A, 2 V, 672 W, 1.2 kV, TO-247 Plus, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 672W Bauform - Transistor: TO-247 Plus Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DOSEMI Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|