DG75X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 75A; 852W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector current: 75A
Case: TO247PLUS
Mounting: THT
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 163ns
Turn-off time: 559ns
Collector-emitter voltage: 1200V
Power dissipation: 852W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Kind of package: tube
Gate charge: 0.49µC
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 740.32 грн |
| 2+ | 459.22 грн |
| 3+ | 458.52 грн |
| 5+ | 433.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DG75X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR
Description: STARPOWER - DG75X12T2 - IGBT, 150 A, 1.75 V, 1.415 kW, 1.2 kV, TO-247 Plus, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.415kW, Bauform - Transistor: TO-247 Plus, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DOSEMI Trench, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції DG75X12T2 за ціною від 520.26 грн до 939.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DG75X12T2 | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1200V; 75A; 852W; TO247PLUS Type of transistor: IGBT Collector current: 75A Case: TO247PLUS Mounting: THT Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 225A Turn-on time: 163ns Turn-off time: 559ns Collector-emitter voltage: 1200V Power dissipation: 852W Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Kind of package: tube Gate charge: 0.49µC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DG75X12T2 | Виробник : STARPOWER |
Description: STARPOWER - DG75X12T2 - IGBT, 150 A, 1.75 V, 1.415 kW, 1.2 kV, TO-247 Plus, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.415kW Bauform - Transistor: TO-247 Plus Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DOSEMI Trench Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|