DI045N10PQ-AQ Diotec Semiconductor
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 172.61 грн |
| 10+ | 132.93 грн |
| 100+ | 69.35 грн |
| 500+ | 68.69 грн |
| 1000+ | 66.05 грн |
| 2500+ | 62.02 грн |
| 5000+ | 52.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DI045N10PQ-AQ Diotec Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 39A; Idm: 400A; 40W; QFN5x6, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 39A, Pulsed drain current: 400A, Power dissipation: 40W, Case: QFN5x6, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 9mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 56nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Application: automotive industry, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції DI045N10PQ-AQ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| DI045N10PQ-AQ | Виробник : Diotec Semiconductor |
 N-Channel Power MOSFETN-Kanal Leistungs-MOSFETAEC-Q101 qualification |
товар відсутній |
||
 |
DI045N10PQ-AQ | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 39A; Idm: 400A; 40W; QFN5x6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 39A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 40W Case: QFN5x6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 56nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
DI045N10PQ-AQ | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0065OHM Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A Power Dissipation (Max): 110W Supplier Device Package: PowerQFN 5x6 |
товар відсутній |
|
|
|
DI045N10PQ-AQ | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 39A; Idm: 400A; 40W; QFN5x6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 39A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 40W Case: QFN5x6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 56nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
товар відсутній |