DI4A7P06SQ2 Diotec Semiconductor
на замовлення 3994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 77.69 грн |
| 10+ | 60.27 грн |
| 100+ | 31.43 грн |
| 500+ | 31.1 грн |
| 1000+ | 30.1 грн |
| 2000+ | 26.64 грн |
| 4000+ | 25.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DI4A7P06SQ2 Diotec Semiconductor
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -4.7A; Idm: -30A; 3W; SO8, Type of transistor: P-MOSFET x2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -60V, Drain current: -4.7A, Pulsed drain current: -30A, Power dissipation: 3W, Case: SO8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.12Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 8.5nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції DI4A7P06SQ2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| DI4A7P06SQ2 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
 Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -4.7A; Idm: -30A; 3W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -4.7A Pulsed drain current: -30A Power dissipation: 3W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| DI4A7P06SQ2 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -4.7A; Idm: -30A; 3W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -4.7A Pulsed drain current: -30A Power dissipation: 3W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |