DIT050N06 DIOTEC SEMICONDUCTOR
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 90A; 85W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 85W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: max. 1.2mm
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 90A; 85W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 85W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: max. 1.2mm
на замовлення 1076 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 49.43 грн |
14+ | 26.43 грн |
16+ | 23.09 грн |
41+ | 20.1 грн |
111+ | 18.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DIT050N06 DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: MOSFET TO220AB N 60V 0.014OHM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 85W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 30 V.
Інші пропозиції DIT050N06 за ціною від 18.07 грн до 85.68 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIT050N06 | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET TO220AB N 60V 0.014OHM Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 30 V |
на замовлення 964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DIT050N06 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 90A; 85W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 35A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 85W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Gate charge: 50nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Heatsink thickness: max. 1.2mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1076 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DIT050N06 | Виробник : Diotec Semiconductor | MOSFET MOSFET, TO-220AB, 60V, 50A, 175C, N |
на замовлення 844 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DIT050N06 | Виробник : Diotec Semiconductor | DIT050N06 |
на замовлення 615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|