DIT195N08 Diotec Semiconductor
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 92.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DIT195N08 Diotec Semiconductor
Description: MOSFET TO220AB N 85V 0.0035OHM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.95mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16880 pF @ 25 V.
Інші пропозиції DIT195N08 за ціною від 86.3 грн до 184.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DIT195N08 | Виробник : Diotec Semiconductor |
 Description: MOSFET TO220AB N 85V 0.0035OHMPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.95mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16880 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| DIT195N08 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 85V; 148A; Idm: 850A; 300W; TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Case: TO220AB Heatsink thickness: max. 1.2mm Power dissipation: 300W Drain-source voltage: 85V Drain current: 148A On-state resistance: 4.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 0.14µC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 850A |
на замовлення 485 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| DIT195N08 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 85V; 148A; Idm: 850A; 300W; TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Case: TO220AB Heatsink thickness: max. 1.2mm Power dissipation: 300W Drain-source voltage: 85V Drain current: 148A On-state resistance: 4.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 0.14µC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 850A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 485 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
 |
DIT195N08 | Виробник : Diotec Semiconductor |
MOSFET MOSFET, TO-220AB, 85V, 195A, 175C, N |
товар відсутній |