Продукція > DIODES ZETEX > DMG1012T-7
DMG1012T-7

DMG1012T-7 Diodes Zetex

ds31783.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 2283000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5173+2.25 грн
9000+ 2.17 грн
30000+ 2.09 грн
60000+ 1.97 грн
120000+ 1.74 грн
Мінімальне замовлення: 5173
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG1012T-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMG1012T-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 630mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 280mW, Bauform - Transistor: SOT-523, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm.

Інші пропозиції DMG1012T-7 за ціною від 1.52 грн до 20.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Виробник : Diodes Zetex ds31783.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 2283000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.92 грн
6000+ 2.89 грн
9000+ 2.46 грн
15000+ 2.35 грн
24000+ 2.14 грн
30000+ 1.94 грн
45000+ 1.89 грн
75000+ 1.56 грн
150000+ 1.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Виробник : Diodes Zetex ds31783.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 591000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.19 грн
6000+ 3.16 грн
9000+ 2.66 грн
15000+ 2.54 грн
24000+ 2.33 грн
30000+ 2.1 грн
45000+ 2.08 грн
75000+ 1.69 грн
150000+ 1.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Виробник : Diodes Zetex ds31783.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 591000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3394+3.43 грн
6000+ 3.4 грн
9000+ 2.86 грн
15000+ 2.74 грн
24000+ 2.51 грн
30000+ 2.26 грн
45000+ 2.24 грн
75000+ 1.82 грн
150000+ 1.8 грн
Мінімальне замовлення: 3394
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG1012T.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
на замовлення 381000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.56 грн
6000+ 3.18 грн
9000+ 2.64 грн
30000+ 2.43 грн
75000+ 2.18 грн
150000+ 1.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0014720042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG1012T-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 1212820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+4.1 грн
1500+ 3.71 грн
Мінімальне замовлення: 500
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG1012T-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523
Case: SOT523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.28W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
на замовлення 5210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
60+6.41 грн
110+ 3.16 грн
250+ 2.64 грн
360+ 2.28 грн
970+ 2.15 грн
Мінімальне замовлення: 60
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG1012T-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523
Case: SOT523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.28W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 5210 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+7.69 грн
70+ 3.93 грн
250+ 3.16 грн
360+ 2.73 грн
970+ 2.58 грн
Мінімальне замовлення: 40
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Виробник : Diodes Zetex ds31783.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 2716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1418+8.21 грн
1570+ 7.42 грн
1966+ 5.92 грн
Мінімальне замовлення: 1418
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0014720042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG1012T-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 1212820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
58+12.89 грн
78+ 9.61 грн
119+ 6.3 грн
500+ 4.1 грн
1500+ 3.71 грн
Мінімальне замовлення: 58
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Виробник : Diodes Zetex ds31783.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 2716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
41+14.39 грн
47+ 12.28 грн
50+ 11.74 грн
100+ 7.35 грн
250+ 6.15 грн
500+ 4.71 грн
1000+ 2.98 грн
Мінімальне замовлення: 41
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0006455650_1-2542645.pdf MOSFET MOSFET N-CHANNEL SOT-523
на замовлення 982553 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+16.58 грн
35+ 8.94 грн
100+ 4.98 грн
1000+ 3.79 грн
3000+ 2.72 грн
9000+ 2.19 грн
24000+ 1.93 грн
Мінімальне замовлення: 19
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG1012T.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
на замовлення 386290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+20.84 грн
20+ 13.98 грн
100+ 6.82 грн
500+ 5.34 грн
1000+ 3.71 грн
Мінімальне замовлення: 14
DMG1012T-7 Виробник : HXY MOSFET DMG1012T.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 150mOhm; 800mA; 150mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: DMG1012T-13; DMG1012T-7 HXY MOSFET TDMG1012T-7 HXY
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+1.52 грн
Мінімальне замовлення: 500
DMG1012T-7 Виробник : DIODES/ZETEX DMG1012T.pdf N-MOSFET 20V; 0.45A; 0.28W; 2kV; -55..+150°C DMG1012T-7 TDMG1012T-7
на замовлення 25050 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Виробник : Diodes Inc ds31783.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
товар відсутній