на замовлення 177000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 1.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG1012UW-7 Diodes Inc
Description: DIODES INC. - DMG1012UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 290, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1, euEccn: NLR, Verlustleistung: 290, Bauform - Transistor: SOT-323, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції DMG1012UW-7 за ціною від 1.88 грн до 28.69 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DMG1012UW-7 | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMG1012UW-7 | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMG1012UW-7 | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 411000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMG1012UW-7 | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 411000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMG1012UW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 1A SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 290mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V |
на замовлення 7599000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMG1012UW-7 | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 915000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMG1012UW-7 | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 915000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMG1012UW-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; 0.29W; SOT323 Case: SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 1A On-state resistance: 0.3Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.29W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±6V |
на замовлення 14990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMG1012UW-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; 0.29W; SOT323 Case: SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 1A On-state resistance: 0.3Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.29W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±6V кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 14990 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMG1012UW-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG1012UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 290 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1 euEccn: NLR Verlustleistung: 290 Bauform - Transistor: SOT-323 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 19540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMG1012UW-7 | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMG1012UW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 1A SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 290mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V |
на замовлення 7600430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMG1012UW-7 | Виробник : Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET N-CHANNEL SOT-323 |
на замовлення 312746 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMG1012UW-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG1012UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 290 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1 euEccn: NLR Verlustleistung: 290 Bauform - Transistor: SOT-323 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 19540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMG1012UW-7 | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
DMG1012UW-7 | Виробник : DIODES/ZETEX |
N-MOSFET 20V 1A 450mΩ 290mW DMG1012UW-7 Diodes TDMG1012uw кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|