Продукція > DIODES INCORPORATED > DMG1012UWQ-7
DMG1012UWQ-7

DMG1012UWQ-7 DIODES INCORPORATED

DMG1012UWQ.pdf Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 6A; 610mW; SOT323
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.75A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.61W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: 6A
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
80+4.41 грн
240+ 3.36 грн
660+ 3.18 грн
Мінімальне замовлення: 80
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG1012UWQ-7 DIODES INCORPORATED

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 460mW, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-323, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 16 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMG1012UWQ-7 за ціною від 3.25 грн до 27.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMG1012UWQ-7 DMG1012UWQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG1012UWQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.65 грн
6000+ 4.28 грн
9000+ 3.7 грн
30000+ 3.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG1012UWQ-7 DMG1012UWQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG1012UWQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 6A; 610mW; SOT323
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.75A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.61W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: 6A
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+5.5 грн
240+ 4.04 грн
660+ 3.82 грн
Мінімальне замовлення: 50
DMG1012UWQ-7 DMG1012UWQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG1012UWQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 47680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.87 грн
16+ 17.44 грн
100+ 8.79 грн
500+ 6.74 грн
1000+ 5 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMG1012UWQ-7 Виробник : Diodes Zetex DMG1012UWQ.pdf DMG1012UWQ-7
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3425+3.4 грн
Мінімальне замовлення: 3425
DMG1012UWQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmg1012uwq.pdf N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3425+3.4 грн
Мінімальне замовлення: 3425
DMG1012UWQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmg1012uwq.pdf N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6000+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 6000
DMG1012UWQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmg1012uwq.pdf N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6000+5.38 грн
Мінімальне замовлення: 6000
DMG1012UWQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG1012UWQ.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323 T&R 3K
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+27.36 грн
16+ 20.09 грн
100+ 9.96 грн
1000+ 5.05 грн
3000+ 4.32 грн
9000+ 3.45 грн
24000+ 3.25 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMG1012UWQ-7 Виробник : Diodes Inc dmg1012uwq.pdf MOSFET BVDSS: 8V24V SOT323 T&R 3K
товар відсутній
DMG1012UWQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmg1012uwq.pdf N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній